Fotodetektè APD/PIN seri Rof-QPD Modil deteksyon fotoelektrik kat kadran Fotodetektè 4 kadran
Karakteristik
⚫Ranje espèktal: 400 ~ 1700nm
⚫Detektè PIN ak APD
⚫Repons rapid
⚫Estrikti kontra enfòmèl ant
Anplifikatè entegre ki fè ti bri ak paramèt sikwi ogmantasyon
Aplikasyon
⚫ Mezi ang
⚫ vize gwo bout bwa
⚫ kominikasyon optik ant twou yo
Paramèt
| Paramèt | siy | inite | nimewo modèl | ||
| ROF-QPD-A | ROF-QPD-B | ROF-QPD-C | |||
| Longèdonn repons | l | nm | 400-1100 | 905 | |
| -3dB Pleasant | BW | Hz | 100 | 100 | 35 milyon |
| Dyamèt sifas fotosansib la | Φ | mm | 5.3 | 7.98 | 4 |
| espas | um | 70 | 42 | 11 | |
| Kalite detektè | PIN | APD | |||
| Repons | R | Otòn/Ivè | 0.48@1064nm | 0.64@900nm | 58@905nm, M=100 |
| Tan monte | T | us | 35 | 35 | 0.01 |
| Kouran nwa | I | nA | 0.015 | 2 | 4 |
| Pwofi | A | V/W | 10K | 10K | 360K |
| Enpedans pwodiksyon | R | Ω | 50 | ||
| Entèfas elektrik sòti | SMA(F) | ||||
| Metòd kouplaj | DC | ||||
| anplitid pwodiksyon | Vpp | 3 | |||
| Vòltaj fonksyònman | V | 12 | |||
Kondisyon Limit yo
| Paramèt | Senbòl | Inite | Minimòm | Tip | Maksimòm |
| Antre pouvwa optik | Pin | mW | 10 | ||
| Vòltaj fonksyònman | Vop | V | 11.5 | 12.5 | |
| Tanperati fonksyònman | Anlè | ºC | -20 | 65 | |
| Tanperati depo | Tst | ºC | -40 | 85 | |
| Imidite | RH | % | 5 | 90 |
Koub
Koub karakteristik
PIN
APD
Enfòmasyon sou kòmand
| ROF | QPD | A |
| Modil deteksyon fotoelektrik kat kadran | Kalite detektè: A: PD 5.3mmB:PD 7.98mm C: APD 4mm |
* Tanpri kontakte vandè nou an si ou gen bezwen espesyal
Konsènan nou
Nan Rofea Optoelectronics, nou ofri yon seri divès pwodwi elektwo-optik pou satisfè bezwen ou yo, tankou modilatè komèsyal, sous lazè, fotodetektè, anplifikatè optik, ak plis ankò.
Liy pwodwi nou yo karakterize pa pèfòmans ekselan li, efikasite segondè li, ak adaptabilite li. Nou fyè dèske nou ofri opsyon pèsonalizasyon pou satisfè demann inik, respekte espesifikasyon espesifik, epi bay kliyan nou yo yon sèvis eksepsyonèl.
Nou fyè dèske yo te nonmen nou kòm yon antrepriz gwo teknoloji nan Beijing an 2016, epi anpil sètifika patant nou yo ateste fòs nou nan endistri a. Pwodwi nou yo popilè ni nan peyi a ni nan lòt peyi, kliyan yo fè lwanj pou kalite siperyè ak konsistan yo.
Pandan n ap avanse nan direksyon yon avni domine pa teknoloji fotoelektrik, nou fè efò pou nou bay pi bon sèvis posib la epi kreye pwodwi inovatè an patenarya avèk ou. Nou pa ka tann pou nou kolabore avèk ou!
Rofea Optoelectronics ofri yon liy pwodwi modilatè elektwo-optik komèsyal, modilatè faz, modilatè entansite, fotodetektè, sous limyè lazè, lazè DFB, anplifikatè optik, EDFA, lazè SLD, modilasyon QPSK, lazè pulsasyon, detektè limyè, fotodetektè balanse, chofè lazè, anplifikatè fib optik, mèt pouvwa optik, lazè bande laj, lazè reglabl, detektè optik, chofè dyòd lazè, anplifikatè fib. Nou bay tou anpil modilatè patikilye pou personnalisation, tankou modilatè faz etalaj 1 * 4, Vpi ultra-ba, ak modilatè rapò ekstèksyon ultra-wo, sitou itilize nan inivèsite ak enstiti.
Espere pwodwi nou yo ap itil pou ou menm ak rechèch ou a.
